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分類清單
金氧半元件課程綱要

1002 ET6306701﹞金氧半元件

 

課程名稱

(中文) 金氧半元件

開課系所

光電工程所

(英文) Mos Devices

課程代碼

ET6306701

授課教師:林保宏

 

 

 

學分數

3

/選修

選修/半學期

開課年級

研究所

教育目標

(請選擇)

1.Process and Device models in microelectronics

2.MOS Physics and MOS Capacitors

3.Long- Channel MOSEFETs

4.Submicron MOSEFETs

5.Isolation Structures

6.Gate Technology

7.Hot Carrier Effects

 

 

先修科目或先備能力:

 

 

 

課程概述與目標

 

 

 

教科書

Semiconductor physics and devices : basic principles  by D. A. Neaman

 

with background introduction from chap 1-8 and focus on chap 9-13

 

 

課程綱要

 

對應之學生核心能力(請選擇)

備註

單元主題

內容綱要

1

Process and Device models in microelectronics

應用進階光電領域知識之能力

研讀及撰寫專業論文之能力

評估分析與獨立解決問題之能力

設計規劃與執行專題及系統整合之能力

 

2

MOS Physics and MOS Capacitors

應用進階光電領域知識之能力

研讀及撰寫專業論文之能力

評估分析與獨立解決問題之能力

設計規劃與執行專題及系統整合之能力

 

3

Long- Channel MOSEFETs

應用進階光電領域知識之能力

研讀及撰寫專業論文之能力

評估分析與獨立解決問題之能力

設計規劃與執行專題及系統整合之能力

 

4

Submicron MOSEFETs

應用進階光電領域知識之能力

研讀及撰寫專業論文之能力

評估分析與獨立解決問題之能力

設計規劃與執行專題及系統整合之能力

 

5

Isolation Structures

應用進階光電領域知識之能力

研讀及撰寫專業論文之能力

評估分析與獨立解決問題之能力

設計規劃與執行專題及系統整合之能力

 

教學要點概述:.

           

 

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