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金氧半元件課程內涵與學生核心能力關聯表

課程內涵與學生核心能力關聯表

 

課程大綱

學生核心能力

核心能力一

核心能力二

核心能力三

核心能力四

核心能力五

核心能力六

核心能力七

核心能力八

1. Process and Device models in microelectronics

1

1

1

1

0

0

0

0

2. MOS Physics and MOS Capacitors

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1

1

1

0

0

0

0

3. Long- Channel MOSEFETs

1

1

1

1

0

0

0

0

4. Submicron MOSEFETs

1

1

1

1

0

0

0

0

5. Isolation Structures

1

1

1

1

0

0

0

0

6. Gate Technology

1

1

1

1

0

0

0

0

7. Hot Carrier Effects

1

1

1

1

0

0

0

0

總計

7

7

7

7

0

0

0

0

百分比

100%

100%

100%

100%

0%

0%

0%

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註:本所制定學生於畢業時所需具備八項核心能力

1.應用進階光電領域知識之能力

2.研讀及撰寫專業論文之能力

3.評估分析與獨立解決問題之能力

4.設計規劃與執行專題及系統整合之能力

5.團隊中領導、管理及整合溝通之能力

6.研究結果分析與表達之能力

7.關注技術對智慧財產權與社會變遷影響之能力

8.具國際觀及終身學習之能力

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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